PI薄膜以其優(yōu)異性能在微電子行業(yè)發(fā)揮著越來越重要的作用。為了提高其粘接強度，對PI薄膜的表面改性具有重要的意義。
等離子體是一種全部或部分電離的氣體狀態(tài)物質，含有原子、分子、離子亞穩(wěn)態(tài)和激發(fā)態(tài)，并且電子、正離子與負離子的含量大致相等。物質能量較高，易與其他物質起物理、化學和生理反應。
自20世紀60年代以來，等離子體技術，特別是低溫等離子體技術對高分子材料表面改性的研究十分活躍，應用越來越廣泛。這種改性方法有許多優(yōu)點：(1)可以很快改變表面組成而不影響其整體相性質；(2)可通過調整工作條件參數選擇**條件；(3)可以在表面引入各種官能團為進一步處理創(chuàng)造條件等。
按放電形式，低溫等離子體可分為電暈放電、輝光放電、介質阻擋放電和射頻放電等。
(1)電暈放電
電暈放電又稱低頻放電，是在大氣壓條件下產生的弱電流放電．是一種高電場強度、低離子密度的低溫等離子體。它是對距離很近的2個電極施加較高電壓，使電極間的氣體擊穿而產生的放電現象，放電時會生成臭氧、自由基、電子、紫外線等。
(2)輝光放電
輝光放電也稱高頻放電，一般是指在適當的低氣壓下，施加一定的電壓使氣體擊穿而產生的穩(wěn)定放電現象。其特點是端電壓低，同時放出較大的熱量。它處于電暈放電與微波放電之間的中間范圍，比電暈放電的電場強度高。氣體壓力小。相比于低氣壓下的輝光放電，大氣壓下輝光放電不需產生低氣壓和真李密封系統(tǒng)．簡化了工藝流程。
(3)介質阻擋放電
介質阻擋放電(DBD)通常是由2個平行電極產生，其中至少有1個被電介質層所覆蓋，當兩電極之間加上交流高壓。則兩極間的氣體擊穿而形成放電，介質阻擋放電中的電介質層既能起限流作用又能阻止放電向弧光放電的過渡，可以實現高氣壓氣體放電。DBD放電空間的電場達到氣體的擊穿場強后，在放電空間產生大量的活性粒子(如電子、離子、準分子、激勵態(tài)和亞穩(wěn)態(tài)粒子等)。DBD等離子體與材料表面相互作用后。在材料表面形成含氧、含氮的極性基團．使材料表面的粘接性、可染色性、印刷性及生物相容性等性能得到改善。
(4)射頻放電
射頻放電分為電容藕合式和電感藕合式。兩者分別以高頻電容電場和渦旋電場來獲得等離子體，原理相近，構造相對簡單，效果優(yōu)良，得到了廣泛應用。