一、聚酰亞胺復(fù)合帶選擇
由于該繞包線對繞包搭蓋率的要求非常高，標準中規(guī)定的搭蓋率允許范圍上下限只差3. 5%，因?qū)w線徑較細，繞包帶寬度非常小的波動都會造成繞包搭蓋率有很大的波動，因此對聚酰亞胺復(fù)合帶寬度的均勻度有了更高的要求，國內(nèi)用的絕緣復(fù)合薄膜主要是美國杜邦公司的產(chǎn)品。
二、 繞包設(shè)備選型
1、設(shè)備形式
目前繞包燒結(jié)設(shè)備分為兩種: 一種是繞包+燒結(jié)連續(xù)生產(chǎn)。其優(yōu)點是繞包后的線材不需要通過收線盤卷繞直接進入燒結(jié)爐。這種工藝使繞包燒結(jié)一次成型，避免了線芯在線盤上卷繞繞包搭蓋的翹邊問題。缺點是繞包換帶時，線材在燒結(jié)爐中停留時間較長，容易產(chǎn)生線材變黃、導(dǎo)體發(fā)黑等質(zhì)量問題，同時繞包速度較慢，一般為3～5 m/min，而燒結(jié)速度可以達到10～15 m/min，這樣相當于能源及設(shè)備利用率的浪費。另一種是繞包與燒結(jié)分兩道工序進行。為了避免線芯上盤卷繞造成繞包層翹邊的問題，將排線器排線改成收線盤來回移動排線，讓線芯從繞包頭出來后始終保持在一條直線上，避免線芯的彎曲。
2、繞包帶裝盤形式
裝盤形式有片狀、筒狀兩種，一般市場上常用的線規(guī)為26 ～ 10 AWG，采用的帶材寬度為2. 5 ～15 mm，如采用片狀帶材容易出現(xiàn)“塌帶”，所以一般采用筒狀帶材，同時也可增加裝盤量，減少接續(xù)。
3、放帶張力
張力是設(shè)備的關(guān)鍵參數(shù)，設(shè)備的放帶張力設(shè)定既要包帶緊密繞包在線材上，同時要求帶材不能被拉細，因此選擇合適的繞包頭張力十分重要。而繞包頭張力取決于繞包材質(zhì)以及帶材的寬度、厚度，聚酰亞胺復(fù)合帶磁滯張力為200～2 000 g，PTFE 生料帶及車削帶磁滯張力為150 ～ 1 500 g。如何設(shè)置恒張力也是關(guān)鍵問題，繞包過程中放帶張力隨帶盤直徑減小而增大，為了實現(xiàn)放帶恒張力，目前有兩種方法: 一種是通過磁滯張力控制器與PLC 模塊，建立放帶張力與帶盤直徑變化的數(shù)學(xué)模型，調(diào)整放帶米數(shù)與放線張力的關(guān)系來控制磁滯張力控制器，以保證整個生產(chǎn)過程中繞包帶保持恒張力; 另一種方式是主動放帶，通過壓力傳感器控制放帶速度，保證恒張力。
4、繞包節(jié)距的穩(wěn)定性
繞包節(jié)距的穩(wěn)定性是通過繞包頭轉(zhuǎn)速與牽引速度的匹配來實現(xiàn)的，要求設(shè)備平穩(wěn)運行時繞包節(jié)距精度為±1. 5%，降速時繞包節(jié)距精度為±3%。
三、燒結(jié)爐選型
目前的燒結(jié)爐加熱方式有電阻絲加熱、陶瓷紅外加熱、鹽浴加熱。傳統(tǒng)的燒結(jié)爐大多采用加熱線圈(電阻絲) 加熱，通過加熱爐內(nèi)空氣，進而對線纜加熱，以達到高溫燒結(jié)的效果。但實際上，空氣的溫度往往與加熱線圈設(shè)定的溫度不一致，且加熱線圈在爐內(nèi)離散分布，引起的后果是絕緣外層黏合而內(nèi)層仍處于初始狀態(tài)，或者內(nèi)層絕緣黏合而外層絕緣已出現(xiàn)分解狀態(tài)。陶瓷紅外加熱，加熱快、溫度控制**。鹽浴爐加熱，是電流流過使鹽液發(fā)熱，鹽液既是發(fā)熱體又是介質(zhì)，使電纜受熱更均勻，能耗低、可循環(huán)再利用。
燒結(jié)工藝將直接影響繞包線的絕緣燒結(jié)狀態(tài)，以及繞包線的耐電壓、耐刮磨等試驗結(jié)果。由于PTFE/PI /PTFE 復(fù)合薄膜的黏合需要通過380 ～450 ℃一定時間的高溫燒結(jié)，使PTFE 層熔融黏合成密實的整體，因此燒結(jié)過程中為確定繞包線的燒結(jié)狀態(tài)我們采用了差式掃描熱量儀( DSC) 進行測量。DSC 測量絕緣層兩個加熱峰熱焓值的差，越小則絕緣燒結(jié)狀態(tài)越好，反之則相反。
四、工藝控制
綜合考慮繞包質(zhì)量、速度、帶材通用率，將繞包角度控制在40° ～50°最為合適。繞包帶寬是由線芯外徑、繞包角度、繞包搭蓋率決定的，由于張力作用，實際包到導(dǎo)線上面的薄膜寬度要比薄膜本身寬度窄。為保證產(chǎn)品搭蓋率均勻、穩(wěn)定，必須充分考慮繞包薄膜的拉伸效果。此外，繞包張力對產(chǎn)品表面的密實程度、耐磨性、耐干濕電弧試驗等均有重要影響。按照美軍標AS 22759 的要求，該新型航空用復(fù)合絕緣繞包線繞包搭蓋率為50. 4% ～ 54. 0%，但在實際生產(chǎn)時要求則更高，一般控制在( 52 ± 0. 5) %以內(nèi)。